「学者の杜」は各研究者の論文等業績、知財、広報コンテンツを表示します。
収録対象は e-Rad で筑波大学に登録されている研究者、退職した研究者および連携大学院教員です。…続きを読む

岩室 憲幸 / Iwamuro, Noriyuki

数理物質系 教授 / Professor, Faculty of Pure and Applied Sciences

関連記事 / Related Articles in COTRE

日経エレクトロニクス　パワーエレクトロニクスアワード2020　最優秀賞

 

論文 / Publication

  1. Demonstration of Superior Electrical Characteristics for 1.2 kV SiC Schottky Barrier Diode-Wall Integrated Trench MOSFET with Higher Schottky Barrier Height Metal 饗場 塁士, 松井ケビン, 馬場正和, 原田信介, 矢野裕司, Iwamuro, Noriyuki IEEE Electron Device Letters 41 (4112) 1810 - 1813 (2020)
  2. Experimental Demonstration of Superior Vf -Err Characteristics of pin Body Diode in 1.2 kV IE-UMOSFET with a Very Short Channel Length 金森 大河, 饗場 塁士, 原田信介, 矢野裕司, Iwamuro, Noriyuki Proceedings of PCIM Asia, 2020 25 - 29 (2020)
  3. Energy distribution of Al2O3/diamond interface states characterized by high temperature capacitance-voltage method Zhang, Xufang, Matsumoto, Tsubasa, Sakurai, Ukyo, Makino, Toshiharu, Ogura, Masahiko, Yamasaki, Satoshi, Sometani, Mitsuru, Okamoto, Dai, Yano, Hiroshi, Iwamuro, Noriyuki, Inokuma, Takao, Tokuda, Norio CARBON 168 659 - 664 (2020)
  4. Investigations of SiC MOSFET Short-Circuit Failure Mechanisms Using Electrical, Thermal, and Mechanical Stress Analyses Yao, Kairun, 矢野裕司, 只野博, Iwamuro, Noriyuki IEEE Transactions on Electron Devices 67 (10) 4328 - 4334 (2020)
  5. Dependence of humidity-stress impact on passivation film for edge termination area in 4H-SiC diodes 松島 宏行, Y.Mori, 島 明夫, Iwamuro, Noriyuki Japanese Journal of Applied Physics 59 (10) 104003-1 - 104003-8 (2020)
  6. Analysis of 1.2 kV SiC SWITCH-MOS after Short-circuit Stress 大川 雅貴, 金森 大河, 饗場 塁士, 原田信介, 矢野裕司, Iwamuro, Noriyuki Proc. of Int. Symp. Power Semiconductors and ICs, 2020 74 - 77 (2020)
  7. Investigation of dVDS/dt Controllability on Rg in SWITCH-MOS to Achieve Superior Turn-on Characteristics with Low dVDS/dt 饗場 塁士, 松井ケビン, 大川 雅貴, 金森 大河, 原田信介, 矢野裕司, Iwamuro, Noriyuki Proc. of Int. Symp. Power Semiconductors and ICs,2020 174 - 177 (2020)
  8. 1.2 kV SiC SBD-embedded MOSFET with extension structure and titanium-based single contact 清水悠佳, Watanabe, Naoki, Morikawa, Takahiro, Shima, Akio, Iwamuro, Noriyuki Japanese Journal of Applied Physics 59 (2) 026502-1 - 026502-7 (2020)
  9. SiC pチャネルMOSFETの正孔輸送機構の解析 岡本大, 周星炎, 張旭芳, 染谷満, 岡本光央, 畠山哲夫, 原田信介, 岩室憲幸, 矢野, 裕司 電子デバイス界面テクノロジー研究会 －材料・プロセス・デバイス特性の物理－ 第25回研究会 予稿集 97 - 100 (2020)
  10. 高速緩和なし法によるpチャネル4H-SiC MOSFETのしきい値電圧変動評価 坂田, 大輝, 岡本大, 染谷満, 岡本光央, 原田信介, 畠山哲夫, 根本宏樹, 張旭芳, 岩室憲幸, 矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会 第6回講演会 予稿集 143 - 144 (2019)

researchmap の論文リストを表示する Show the publication list on researchmap

※上記の論文リストは researchmapから取得した論文リストにDOIリンク等の情報を付加したものです。筑波大学研究者総覧(TRIOS)または researchmapの論文リストが更新されると後日反映されます。

論文のオープンアクセス版を読む Check out a freely downloadable version
つくばリポジトリ

知財 / Intellectual properties

  1. 2012-081171 : 半導体装置 原田祐一, 岩室, 憲幸, 星保幸, 原田信介
  2. 2016-131076 : 半導体装置および半導体装置の製造方法 福田憲司, 岩室, 憲幸
  3. 2015-530769 : 高耐圧半導体装置およびその製造方法 岩室, 憲幸, 原田信介
  4. 2012-125254 : 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 辻崇, 木下明将, 岩室, 憲幸, 福田憲司
  5. 2017-101263 : 炭化珪素半導体装置 辻崇, 木下明将, 岩室, 憲幸, 福田憲司
この研究者の詳細情報 Detailed information

筑波大学研究者総覧

University of Tsukuba - Researchers information(TRIOS)
産学連携のご相談窓口 Inquiry about technology transfer

筑波大学国際産学連携本部

Headquarters for International Industry-University Collaboration
筑波大学の他の研究者を探す Find other researchers at the University of Tsukuba
学者の杜
筑波大学研究ポータル University of Tsukuba research information Portal
COTRE（コトリ）｜COmmunity of Tsukuba REsearchers

※このページの情報は、reseachmap APIより取得しています

発行：筑波大学　URA研究戦略推進室・研究推進部

© University of Tsukuba