矢野 裕司 / Yano, Hiroshi

数理物質系 准教授 / Associate Professor, Faculty of Pure and Applied Sciences

関連記事 / Related Articles in COTRE

第9回筑波大学オープンファシリティー研究機器共同利用説明会(2021.6.3)

 

論文 / Publication

  1. Demonstration of Superior Electrical Characteristics for 1.2 kV SiC Schottky Barrier Diode-Wall Integrated Trench MOSFET with Higher Schottky Barrier Height Metal 饗場 塁士, 松井ケビン, 馬場正和, 原田信介, 矢野裕司, Iwamuro, Noriyuki IEEE Electron Device Letters 41 (12) 1810 - 1813 (2020)
  2. Experimental Demonstration of Superior Vf -Err Characteristics of pin Body Diode in 1.2 kV IE-UMOSFET with a Very Short Channel Length 金森 大河, 饗場 塁士, 原田信介, 矢野裕司, Iwamuro, Noriyuki Proceedings of PCIM Asia, 2020 25 - 29 (2020)
  3. Energy distribution of Al2O3/diamond interface states characterized by high temperature capacitance-voltage method Zhang, Xufang, Matsumoto, Tsubasa, Sakurai, Ukyo, Makino, Toshiharu, Ogura, Masahiko, Yamasaki, Satoshi, Sometani, Mitsuru, Okamoto, Dai, Yano, Hiroshi, Iwamuro, Noriyuki, Inokuma, Takao, Tokuda, Norio CARBON 168 659 - 664 (2020)
  4. Investigations of SiC MOSFET Short-Circuit Failure Mechanisms Using Electrical, Thermal, and Mechanical Stress Analyses Yao, Kairun, 矢野裕司, 只野博, Iwamuro, Noriyuki IEEE Transactions on Electron Devices 67 (10) 4328 - 4334 (2020)
  5. Analysis of 1.2 kV SiC SWITCH-MOS after Short-circuit Stress 大川 雅貴, 金森 大河, 饗場 塁士, 原田信介, 矢野裕司, Iwamuro, Noriyuki Proc. of Int. Symp. Power Semiconductors and ICs, 2020 74 - 77 (2020)
  6. Investigation of dVDS/dt Controllability on Rg in SWITCH-MOS to Achieve Superior Turn-on Characteristics with Low dVDS/dt 饗場 塁士, 松井ケビン, 大川 雅貴, 金森 大河, 原田信介, 矢野裕司, Iwamuro, Noriyuki Proc. of Int. Symp. Power Semiconductors and ICs,2020 174 - 177 (2020)
  7. Electrically detected magnetic resonance study on interface defects at nitrided Si-face, a-face, and m-face 4H-SiC/SiO2 interfaces Higa, Eito, Sometani, Mitsuru, Hirai, Hirohisa, Yano, Hiroshii, Harada, Shinsuke, Umeda, Takahide Applied Physics Letters 116 (17) 171602 (2020)
  8. Dominant scattering mechanism in SiC MOSFET: comparative study of the universal mobility and the theoretically calculated channel mobility Ohashi, Teruyuki, Iijima, Ryosuke, Yano, Hiroshi Jpn. J. Appl. Phys. 59 (3) 034003-1 - 034003-10 (2020)
  9. Carbon dangling-bond center (carbon Pb center) at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface Umeda, T, Kobayashi, T, Sometani, M, Yano, Hiroshi, Matsushita, Y, Harada, S Appl. Phys. Lett. 116 (7) 071604-1 - 071604-5 (2020)
  10. SiC pチャネルMOSFETの正孔輸送機構の解析 岡本大, 周星炎, 張旭芳, 染谷満, 岡本光央, 畠山哲夫, 原田信介, 岩室憲幸, 矢野, 裕司 電子デバイス界面テクノロジー研究会 -材料・プロセス・デバイス特性の物理- 第25回研究会 予稿集 97 - 100 (2020)
  11. The Role of Oxygen Ambient Anneal for Ba-incorporated SiO2/SiC Interface 寺尾豊, 辻英徳, 細井卓治, 張旭芳, 矢野, 裕司, 志村考功, 渡部平司 電子デバイス界面テクノロジー研究会 -材料・プロセス・デバイス特性の物理- 第25回研究会 予稿集 137 - 139 (2020)
  12. The role of oxygen ambient anneal for Ba-incorporated SiO2/SiC interface Terao, Y, Tsuji, H, Hosoi, T, Zhang, X, Yano, Hiroshi, Shimura, T, Watanabe, H Abstracts of 50th IEEE Semiconductor interface Specialist Conference (SISC2019) 6.18 (2019)
  13. 高速緩和なし法によるpチャネル4H-SiC MOSFETのしきい値電圧変動評価 坂田, 大輝, 岡本大, 染谷満, 岡本光央, 原田信介, 畠山哲夫, 根本宏樹, 張旭芳, 岩室憲幸, 矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会 第6回講演会 予稿集 143 - 144 (2019)
  14. pチャネル4H-SiC MOSFETのチャネルドリフト移動度の導出と散乱機構の解明 周星炎, 岡本大, 張旭芳, 染谷満, 岡本光央, 畠山哲夫, 原田信介, 岩室憲幸, 矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会 第6回講演会 予稿集 89 - 90 (2019)
  15. 界面近傍酸化膜トラップを考慮した4H-SiC MOSFETにおける3レベルチャージポンピング特性の解析 松谷優汰, 張旭芳, 岡本大, 岩室憲幸, 矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会 第6回講演会 予稿集 85 - 86 (2019)
  16. 4H-SiC Si面・a面・m面界面欠陥の電流検出型電子スピン共鳴分光法による評価 比嘉栄斗, 染谷満, 原田信介, 梅田享英, 矢野, 裕司 先進パワー半導体分科会 第6回講演会 67 - 68 (2019)
  17. SiC MOS Interface; What limits the channel mobility Yano, Hiroshi Extended Abstracts of 2019 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices - Science and Technology - (2019 IWDTF) 112 - 113 (2019)
  18. Influence of the Annealing Temperature on ALD-Al2O3/NAOS/Si MOS Interface Properties Fu, Wei, Zhang, Xufang, Umishio, Hiroshi, Traore, Aboulaye, Yano, Hiroshi, Sakurai, Takeaki Technical Digest of The 29th International Confrence on Photovoltaic Sciene and Enginnering (PVSEC-29) 1708 - 1710 (2019)
  19. Ideal phonon-scattering-limited mobility in inversion channel of 4H-SiC(0001) MOSFETs with ultralow net doping concentrations 染谷満, 細井卓治, Hirai, H, Hatakeyama, T, Harada, S, Yano, Hiroshi, 志村考功, 渡部平司, Yonezawa, Y, Okumura, H Appl. Phys. Lett. 115 (13) 132102-1 - 132102-5 (2019)
  20. The effect of biaxial stress on the carrier-transport properties at SiO2/4H-SiC interfaces Fu, W, Ueda, A, Yano, Hiroshi, Harada, S, Sakurai, T Extended Abstracts of 2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2019) 735 - 736 (2019)

researchmap の論文リストを表示する Show the publication list on researchmap

※上記の論文リストは researchmapから取得した論文リストにDOIリンク等の情報を付加したものです。筑波大学研究者総覧(TRIOS)または researchmapの論文リストが更新されると後日反映されます。

論文のオープンアクセス版を読む Check out a freely downloadable version

知財 / Intellectual properties

  1. 特願2015‐030433 : •前駆体溶液及びシリコンを含有する層、ならびにパワー半導体素子及びパワー半導体素子の製造方法 下田達也, 増田貴史, 村上達也, 岩室, 憲幸, 矢野裕司
筑波大学研究ポータル University of Tsukuba research information Portal
COTRE(コトリ)|COmmunity of Tsukuba REsearchers

発行:筑波大学 URA研究戦略推進室・研究推進部