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矢野 裕司 / Yano, Hiroshi

数理物質系 准教授 / Associate Professor, Faculty of Pure and Applied Sciences

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2022年度第5回「数理物質系学際セミナー」秋山 茂樹・矢野 裕司
第9回筑波大学オープンファシリティー研究機器共同利用説明会(2021.6.3)

 

論文 / Publication

  1. Demonstration of Superior Electrical Characteristics for 1.2 kV SiC Schottky Barrier Diode-Wall Integrated Trench MOSFET with Higher Schottky Barrier Height Metal 饗場 塁士, 松井ケビン, 馬場正和, 原田信介, 矢野裕司, Iwamuro, Noriyuki IEEE Electron Device Letters 41 (4112) 1810 - 1813 (2020)
  2. Experimental Demonstration of Superior Vf -Err Characteristics of pin Body Diode in 1.2 kV IE-UMOSFET with a Very Short Channel Length 金森 大河, 饗場 塁士, 原田信介, 矢野裕司, Iwamuro, Noriyuki Proceedings of PCIM Asia, 2020 25 - 29 (2020)
  3. Energy distribution of Al2O3/diamond interface states characterized by high temperature capacitance-voltage method Zhang, Xufang, Matsumoto, Tsubasa, Sakurai, Ukyo, Makino, Toshiharu, Ogura, Masahiko, Yamasaki, Satoshi, Sometani, Mitsuru, Okamoto, Dai, Yano, Hiroshi, Iwamuro, Noriyuki, Inokuma, Takao, Tokuda, Norio CARBON 168 659 - 664 (2020)
  4. Investigations of SiC MOSFET Short-Circuit Failure Mechanisms Using Electrical, Thermal, and Mechanical Stress Analyses Yao, Kairun, 矢野裕司, 只野博, Iwamuro, Noriyuki IEEE Transactions on Electron Devices 67 (10) 4328 - 4334 (2020)
  5. Analysis of 1.2 kV SiC SWITCH-MOS after Short-circuit Stress 大川 雅貴, 金森 大河, 饗場 塁士, 原田信介, 矢野裕司, Iwamuro, Noriyuki Proc. of Int. Symp. Power Semiconductors and ICs, 2020 74 - 77 (2020)
  6. Investigation of dVDS/dt Controllability on Rg in SWITCH-MOS to Achieve Superior Turn-on Characteristics with Low dVDS/dt 饗場 塁士, 松井ケビン, 大川 雅貴, 金森 大河, 原田信介, 矢野裕司, Iwamuro, Noriyuki Proc. of Int. Symp. Power Semiconductors and ICs,2020 174 - 177 (2020)
  7. Dominant scattering mechanism in SiC MOSFET: comparative study of the universal mobility and the theoretically calculated channel mobility Ohashi, Teruyuki, Iijima, Ryosuke, Yano, Hiroshi Jpn. J. Appl. Phys. 59 (3) 034003-1 - 034003-10 (2020)
  8. Carbon dangling-bond center (carbon Pb center) at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface Umeda, T, Kobayashi, T, Sometani, M, Yano, Hiroshi, Matsushita, Y, Harada, S Appl. Phys. Lett. 116 (7) 071604-1 - 071604-5 (2020)
  9. SiC pチャネルMOSFETの正孔輸送機構の解析 岡本大, 周星炎, 張旭芳, 染谷満, 岡本光央, 畠山哲夫, 原田信介, 岩室憲幸, 矢野, 裕司 電子デバイス界面テクノロジー研究会 －材料・プロセス・デバイス特性の物理－ 第25回研究会 予稿集 97 - 100 (2020)
  10. The Role of Oxygen Ambient Anneal for Ba-incorporated SiO2/SiC Interface 寺尾豊, 辻英徳, 細井卓治, 張旭芳, 矢野, 裕司, 志村考功, 渡部平司 電子デバイス界面テクノロジー研究会 －材料・プロセス・デバイス特性の物理－ 第25回研究会 予稿集 137 - 139 (2020)

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  1. 特願2015‐030433 : •前駆体溶液及びシリコンを含有する層、ならびにパワー半導体素子及びパワー半導体素子の製造方法 下田達也, 増田貴史, 村上達也, 岩室, 憲幸, 矢野裕司
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