佐野 伸行 / Sano, Nobuyuki

数理物質系 教授 / Professor at Faculty of Pure and Applied Sciences

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極微細領域の磁性研究と 実用化への発展
ナノスピンリサーチユニット
Magnetism Research in Ultrafine Fields and Its Application

 

論文 / Publication

  1. Monte Carlo simulation of random dopant fluctuation in C-V characteristics using image charge model and adequately determined length scale Chih-Wei, Yao, Sano, Nobuyuki, Watanabe, Hiroshi JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 58 (9) (2019)
  2. Polarization Effect due to Discreteness of Dopants in Nano-Scale MOSFETs Yoshida, Katsuhisa, Tsukahara, Kohei, Sano, Nobuyuki IEEE Trans. Electron Dev. ED-66 (10) 4343 - 4347 (2019)
  3. Physics of Discrete Impurities under the Frameworkof Device Simulations for Nanostructure Devices Sano, Nobuyuki, Yoshida, Katsuhisa, Yao, Chih-Wei, Watanabe, Hiroshi Materials (Basel, Switzerland) 11 (12) (2018)
  4. Shinji Saito, Masahiko Yoshiki, Shinya Nunoue, Nobuyuki Sano 56 (2) 0210003 (2017)
  5. Syuta Honda, Kouhei Inuzuka, Takeshi Inoshita, Norio Ota, Nobuyuki Sano 47 (48) (2014)
  6. Katsuhisa Yoshida, Toru Shibamiya, Nobuyuki Sano 105 (3) (2014)
  7. ジャンクションレストランジスタにおけるNEGF法を用いたデバイスシミュレーション : 不純物散乱と遮蔽の影響の考察(プロセス・デバイス・回路シュミレーション及び一般) 植田, 暁子, Luisier, Mathieu, 吉田, 勝尚, 本多, 周太, 佐野, 伸行 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 113 (296) 61 - 64 (2013)
  8. Hiroyuki Ikeda, Nobuyuki Sano 60 (10) 3417 - 3423 (2013)
  9. Ting-wei Tang, Massimo V. Fischetti, Seonghoon Jin, Nobuyuki Sano 78 (SI) 115 - 120 (2012)
  10. Device simulation of intermediate band solar cells: Effects of doping and concentration Katsuhisa,Yoshida, Yoshitaka,Okada, Sano,Nobuyuki J. Appl. Phys. 112 084510 (2012)

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発行:筑波大学 URA研究戦略推進室・研究推進部