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奥村 宏典 / Okumura, Hironori

数理物質系 助教 / Assistant Professor, Faculty of Pure and Applied Sciences

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2023年度第4回「数理物質系学際セミナー」宮川 晃尚・奥村 宏典

 

論文 / Publication

  1. Growth of double-barrier β-(AlGa)2O3/Ga2O3 structure and heavily Sn-doped Ga2O3 layers using molecular-beam epitaxy Okumura,Hironori Japanese Journal of Applied Physics 59 (7) 075503 (2020)
  2. Dry and wet etching for β-Ga2O3 Schottky barrier diodes with mesa termination Okumura, Hironori, Tanaka, Taketoshi Japanese Journal of Applied Physics 58 (12) 120902 (2019)
  3. Nitrogen-Polar Polarization-Doped Field-Effect Transistor Based on Al0.8Ga0.2N/AlN on SiC With Drain Current Over 100 mA/mm Lemettinen, Jori, Chowdhury, Nadim, Okumura, Hironori, Kim, Iurii, Suihkonen, Sami, Palacios, Tomas IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS 40 (8) 1245 - 1248 (2019)
  4. Demonstration of lateral field-effect transistors using Sn-doped β-(AlGa)2O3 (010) Okumura,Hironori, Kato,Yuji, Oshima,Takayoshi, Palacios,Tomás Jpn. J. Appl. Phys. 58 (SB::S) SBBD12 (2019)
  5. Fabrication of an AlN ridge structure using inductively coupled Cl2/BCl3 plasma and a TMAH solution Okumura, Hironori JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 58 (2) (2019)
  6. N-polar AlN buffer growth by metal–organic vapor phase epitaxy for transistor applications Lemettinen, Jori, Okumura, Hironori, Palacios, Tomás, Suihkonen, Sami Applied Physics Express 11 (10) 101002 (2018)
  7. AlN metal–semiconductor field-effect transistors using Si-ion implantation Okumura, Hironori, Suihkonen, Sami, Lemettinen, Jori, Uedono, Akira, Zhang, Yuhao, Piedra, Daniel, Palacios, Tomás JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 57 (4) 04FR11 (2018)
  8. MOVPE growth of N-polar AlN on 4H-SiC: Effect of substrate miscut on layer quality J. Lemettinen, H. Okumura, I. Kim, C. Kauppinen, T. Palacios, S. Suihkonen 487 12 - 16 (2018)
  9. MOVPE growth of nitrogen- and aluminum-polar AlN on 4H-SiC J. Lemettinen, H. Okumura, I. Kim, M. Rudzinski, J. Grzonka, T. Palacios, S. Suihkonen 487 50 - 56 (2018)
  10. Vertical GaN Junction Barrier Schottky Rectifiers by Selective Ion Implantation Yuhao Zhang, Zhihong Liu, Marko J. Tadjer, Min Sun, Daniel Piedra, Christopher Hatem, Travis J. Anderson, Lunet E. Luna, Anindya Nath, Andrew D. Koehler, Hironori Okumura, Jie Hu, Xu Zhang, Xiang Gao, Boris N. Feigelson, Karl D. Hobart, Tomas Palacios 38 (8) 1097 - 1100 (2017)

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