独自技術の雑音プローブに開発したICを搭載し，電子デバイスの雑音特性を広帯域で計測可能に

筑波大学数理物質系　大毛利健治准教授らのグループは、ディー・クルー・テクノロジーズ株式会社、東京工業大学とともに、トランジスタ（MOSFET）の雑音を広い周波数帯域にわたって簡便に計測する技術を開発しました。

（左上）低雑音アンプを搭載した雑音プローブ及び（左下）独自開発したICを実装した二重シールドされたプローブ内部。プローブ本体の長さは約4cm。（右）プローブへ搭載した低雑音アンプICの写真。大きさは、1.1mm×0.8mm。